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三星于台北电脑展展示HBM5专用HPB散热技术 对标SK海力士iHBM
三星在2026台北国际电脑展展示面向下一代HBM5内存的HPB热阻断路径封装散热技术,通过内置独立热柱降低高堆叠HBM的散热压力。该技术已在HBM4E上验证,三星HBM5将改用自家2nm工艺,预计2028年量产,对标SK海力士iHBM方案。
编辑视角
HBM是AI数据中心GPU的核心存储部件,散热是下一代HBM性能提升的核心瓶颈,头部厂商的技术路线直接影响AI算力供应链发展,对硬件从业者有重要参考价值。
深度解读
本次事件主旨是全球头部DRAM厂商三星公布下一代AI高带宽内存HBM5的全新散热技术路线,对标竞争对手SK海力士的iHBM方案,明确了HBM5的工艺节点和量产计划。现有多方科技媒体报道验证了HPB技术方案、前期验证情况、工艺规划等核心信息。当前信息边界为:该技术仅处于展示阶段,尚未量产,实际散热表现、良率水平还未经过市场验证,HBM5正式落地要到2028-2029年。后续需要持续观察HBM4E客户反馈、HBM5工艺推进进度,以及美光的对应技术布局。
核心要点
- 三星在2026台北电脑展展示HBM5专用HPB封装散热技术
- HPB内置独立热柱散热,已在HBM4E完成功能验证
- HBM5基底芯片改用三星2nm工艺,预计2028年量产
- HPB对标SK海力士iHBM,解决AI高带宽内存散热瓶颈
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